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二维掺杂镝的MoS2铁磁薄片

DOI:10.1016/j.apsusc.2018.12.010 期刊:Applied Surface Science 出版年份:2019 更新时间:2025-09-10 09:29:36
摘要: 磁性二维材料作为自旋电子器件备受关注。然而,设计和合成具有更可控电子结构及更好导电性的磁性二维MoS2晶体仍是重大挑战。本研究通过气液化学沉积法实现突破,成功制备出具有强可调室温铁磁特性的MoS2:Dy薄片。采用XRD、拉曼、TEM、HRTEM和XPS对合成样品进行表征,并通过VSM和Squid研究其磁性能,测得最大饱和磁化强度为0.023 emu/g。基于密度泛函理论的第一性原理计算揭示了样品铁磁性的起源——主要源于S 3p、Mo 4d和Dy 5d轨道间的交换相互作用。结果表明:局域电荷的调控能有效设计二维材料的磁性能,使MoS2成为自旋电子学与电子应用的潜在候选材料,并为其他二维层状材料在自旋电子学应用中提供了新思路。
作者: Qi Zhao,Qing Lu,Yi Liu,Mingzhe Zhang
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研究概述 实验方案 设备清单

研究掺镝二硫化钼薄片的合成与表征及其在自旋电子学中的应用。

合成的原始MoS2薄片是非磁性的,而MoS2:Dy薄片表现出室温铁磁性。MoS2:Dy薄片中铁磁性的起源主要源于S 3p、Mo 4d和Dy 5d轨道之间的交换相互作用。这项工作为基于二维MoS2材料制备MS提供了有效途径,所获得的具有略高饱和磁化强度的材料有望成为自旋电子器件应用中的潜在候选材料。

该研究聚焦于掺镝二硫化钼薄片的合成与表征,但对合成方法的可扩展性及铁磁性能的长期稳定性讨论有限。

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