研究目的
采用钛粉中间层实现SiC陶瓷低温无压连接，以获得无需外压的高连接强度。
研究成果
采用钛粉中间层在1200℃和1300℃无压条件下成功实现了碳化硅陶瓷的连接，检测到主要产物为碳化钛和硅化钛。钛粉的多孔特性促进了硅和碳元素的扩散，在1200℃保温30分钟时获得了41兆帕的剪切强度。但更高温度（1300℃）因孔隙率增加和脆性相含量上升导致剪切强度降低。
研究不足
该研究的局限性在于缺乏外部压力，这可能影响接头的致密化以及Ti3SiC2等特定相的形成。连接层中的孔隙率和脆性Ti5Si3相的比例也可能对剪切强度产生影响。
1：实验设计与方法选择：
本研究采用无压扩散焊接技术，以钛粉为中间层，在低温（<1400°C）条件下实现SiC陶瓷的连接。
2：样品选择与数据来源：
使用自主制备的SiC陶瓷，切割成块体后经抛光和清洗处理再进行连接。
3：实验设备与材料清单：
活性钛粉（平均粒径约8.0微米，纯度>99.99%）、X射线衍射仪（XRD；D8-Advance，德国布鲁克）、场发射扫描电子显微镜（SEM；SU8220，日本日立）、能谱仪（EDS；X-MaxN，英国牛津）、万能电子力学试验机（AGS-X-50KND，日本岛津）。
4：0微米，纯度>99%）、X射线衍射仪（XRD；D8-Advance，德国布鲁克）、场发射扫描电子显微镜（SEM；SU8220，日本日立）、能谱仪（EDS；X-MaxN，英国牛津）、万能电子力学试验机（AGS-X-50KND，日本岛津）。 实验流程与操作步骤：
4. 实验流程与操作步骤：连接过程包括在SiC表面刷涂钛粉、与另一块SiC叠放后，在真空环境下按特定升温速率和保温时间加热。
5：数据分析方法：
通过XRD分析物相组成，SEM和EDS观察微观结构及元素分布，剪切强度测试依据ASTM-D905标准进行。
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