研究目的
研究由超导体和半导体交替层构成的一维光子晶体的透射光谱，以及静水压对光子带隙和缺陷模的影响。
研究成果
研究表明，静水压力以及超导体和半导体层的厚度会显著影响一维光子晶体的透射光谱、光子带隙和缺陷模式。压力增大会使光子带隙和缺陷模式向高频方向移动，而超导体层厚度增加则会拓宽光子带隙并将缺陷模式推向低频区域。缺陷模式的数量随缺陷半导体层厚度的增加而增多。
研究不足
该研究未考虑超导体的损耗，其前提是工作温度远低于临界温度。半导体的耗散特性会导致透射率小于1.0的缺陷模式。
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通过静水压力调控横向光学声子频率实现一维超导体-半导体晶体中缺陷模的调谐
DOI：10.1016/j.physc.2018.11.009
期刊：Physica C: Superconductivity and its Applications
出版年份：2019
更新时间：2025-09-10 09:29:36
摘要：
本研究旨在利用传输矩阵法和双流体模型，探究由超导体（HgBa2Ca2Cu3O8+δ）与半导体（GaAs）交替层构成、空气为包围介质的一维光子晶体的透射光谱。我们考虑了超导体临界温度的压力依赖性，以及半导体中横向光学声子角频率和层厚的压力依赖性。研究发现：固定超导体层厚度时，增大压力会导致透射光谱高频段及光子带隙发生偏移；固定压力和半导体层厚度时，增加超导体层厚度会使光子带隙宽度增大。当因半导体的耗散特性插入缺陷GaAs层时，在光子带隙内出现了透射率低于1.0的缺陷模。保持压力和半导体层厚度不变而增加超导体层厚度时，缺陷?；嵯虻推捣较蛞贫?。此外还发现，增大缺陷半导体层厚度会导致光子带隙内缺陷模的偏移量增加且数量增多。
作者：
Francis Segovia-Chaves，Herbert Vinck-Posada
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