研究目的
控制氧化诱导的变化对于减少有害的InAs表面(或界面)缺陷至关重要,因为在器件加工过程中很难避免InAs表面部分发生能量上有利的氧化。
研究成果
与InAs体晶体相比,预氧化的晶态InAs界面层显示出明显的负结合能位移,这可初步归因于氧离子诱导的库仑势变化。因此,负核心能级位移的存在未必是有害点缺陷的标志,但令人惊讶的是,它可能是III-V族化合物氧化的迹象。研究发现,将InAs氧化结果应用于采用富砷III-V表面和铟沉积的高电子迁移率晶体管(HEMT)器件工艺中,可在不损失栅极可控性的情况下降低HEMT的栅极漏电流。
研究不足
该研究聚焦于Al2O3/InAs界面,在未经进一步研究的情况下可能不直接适用于其他III-V族半导体界面。
1:实验设计与方法选择:
采用同步辐射硬X射线光电子能谱(HAXPES)、低能电子衍射、扫描隧道显微镜和时间飞行弹性反冲检测分析技术,对经不同预氧化处理的原子层沉积(ALD)生长Al2O3/InAs界面进行表征。
2:样品选择与数据来源:
样品取自商用Zn掺杂(2×101? cm?3)InAs(100) p型晶圆。
3:实验设备与材料清单:
超高真空腔室、氩离子溅射仪、ALD反应腔、三甲基铝(TMA,Sigma-Aldrich货号663301-25G)、去离子水前驱体。
4:实验流程与操作步骤:
样品在超高真空腔中通过氩离子溅射循环及后续间接退火进行清洁处理。同一超高真空腔内通过通入O?气体实施热氧化。
5:数据分析方法:
使用Origin软件的独立峰拟合??槎圆饬科紫呓星吣夂戏治觥?/p>
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