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亚20飞秒全光开关在单金包覆硅纳米盘中的实现

DOI:10.1021/acs.nanolett.8b03770 期刊:Nano Letters 出版年份:2018 更新时间:2025-09-10 09:29:36
摘要: 介电纳米天线因其能在纳米尺度上低损耗地聚焦光并展现出强非线性极化率,近期成为非线性和超快纳米光子学领域颇具前景的元件。本工作证明:当覆盖30纳米薄金层的单硅纳米盘在第二类安培子模式附近激发时,可在第一类安培子模式邻近区域产生正负向亚20飞秒反射率调制(幅度约0.3%)。通过可见光至近红外波段表征的实验结果表明,所观测到的全光开关现象源于非线性光学克尔效应。这些发现为纳米尺度超快全光信号处理迈出了重要一步。
作者: Gustavo Grinblat,Rodrigo Berté,Michael P. Nielsen,Yi Li,Rupert F. Oulton,Stefan A. Maier
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研究概述 实验方案 设备清单

研究单层金包覆硅纳米盘中的超快全光开关现象。

研究表明,单个金覆盖硅纳米天线可在一阶反涡旋模式附近呈现幅度约0.3%、持续时间小于20飞秒的反射率调制,且自由载流子背景可忽略不计。数值模拟支持光学克尔效应是这些超快现象背后的机制。这标志着向纳米尺度超快全光信号处理迈出了重要一步。

该研究的局限性在于测量设备的光谱范围和灵敏度,尤其是对于较大尺寸的纳米盘(直径>630纳米),以及所制备纳米结构中可能存在的小缺陷对结果的影响。

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    型号:ZEISS Sigma 300 with RISE

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