研究目的
研究SrTiO3氧空位对LaTiO3/SrTiO3异质结构导电性的影响。
研究成果
该研究通过精确控制LTO生长条件，展示了工程化制备薄层导电STO材料的潜力，同时揭示了氧空位在LTO/STO异质结构导电性中的关键作用。
研究不足
该研究的局限性在于特定的生长条件和所用材料，可能并不适用于所有钙钛矿氧化物异质结构。氧空位的形成机制及其对导电性的影响在不同条件下可能存在差异。
1：实验设计与方法选择：
在分子氧分压为10^-10至10^-7托的条件下，通过分子束外延技术在TiO2终止的STO(001)单晶衬底和生长于Ge(001)上的8单元胞STO模板层上生长了晶体LTO薄膜。
2：样品选择与数据来源：
通过原位反射高能电子衍射、非原位X射线衍射和非原位透射电子显微镜研究薄膜结晶度；通过原位X射线光电子能谱确认薄膜成分及氧空位存在情况。
3：实验设备与材料清单：
分子束外延（MBE）腔室、X射线光电子能谱（XPS）、透射电子显微镜（TEM）、X射线衍射（XRD）。
4：实验步骤与操作流程：
在分子氧分压条件下，将La和Ti共沉积到加热至700°C的STO衬底上生长LTO薄膜。
5：数据分析方法：
通过电学表征测量LTO/STO体系的导电率和面载流子密度。
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Transmission Electron Microscopy
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Used for ex situ characterization of film crystallinity.
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Used for ex situ characterization of film crystallinity.
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