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采用溶胶-凝胶法制备的Au/SnO?超薄膜二极管的肖特基特性

DOI：10.1109/LED.2018.2871211 期刊：IEEE Electron Device Letters 出版年份：2018 更新时间：2025-09-09 09:28:46
摘要： 本信中通过控制前驱体溶液浓度，采用溶胶-凝胶法制备了厚度为3.5至5.0纳米的SnO?薄膜。通过电学与光谱学研究发现，量子限域效应和伯斯坦-莫斯效应影响了光学带隙与电子亲和能。此外，使用更薄的SnO?层时，Au与SnO?半导体间的势垒高度增加，从而呈现出显著的肖特基二极管特性。本研究可用于考察以SnO?沟道层为核心的超薄电子器件的尺寸缩放效应。同时，基于超薄SnO?半导体带隙展宽现象建立了通用能带图，该图谱有助于阐明量子限域SnO?半导体基光电器件中的载流子输运机制与光学特性。
作者： Bongho Jang，Taegyun Kim，Sojeong Lee，Won-Yong Lee，Jaewon Jang
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研究概述 实验方案 设备清单

研究目的

研究热生长SiO2/Si衬底上溶胶-凝胶法制备的超薄SnO2半导体薄膜的电学和光谱特性，以理解其输运机制并控制电流流动。

研究成果

研究表明，溶胶-凝胶法制备的SnO2薄膜的光学带隙和电子亲和能受量子限域效应和伯斯坦-莫斯效应影响。较薄的SnO2层导致Au与SnO2间势垒高度增加，从而增强了肖特基二极管特性。该研究有助于理解基于量子限域SnO2半导体器件的载流子输运机制。

研究不足

本研究仅限于厚度为3.5至5.0纳米的溶胶-凝胶法制备的SnO2薄膜。未探讨其他制备方法或材料对肖特基二极管特性的影响。

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