研究目的
研究高度掺杂铁的A3B5半导体形成及其性质，重点关注其铁磁特性和导电类型。
研究成果
研究表明，高度掺杂铁的A3B5半导体在室温下表现出铁磁性，且导电类型保持不变。脉冲激光沉积法（PLD）是制备这类材料的有效方法，这些材料在自旋电子器件中具有潜在应用价值。
研究不足
本研究仅限于采用PLD方法对A3B5半导体进行铁掺杂，未探讨其他掺杂方法。A3B5:Fe半导体中交换相互作用的确切机制尚需进一步研究。
1：实验设计与方法选择：
本研究采用脉冲激光沉积（PLD）技术在GaAs(100)衬底上生长掺铁的InAs、InSb和GaSb半导体层，并确定了最佳成膜温度。
2：样品选择与数据来源：
样品制备时采用了不同铁浓度和衬底温度。
3：实验设备与材料清单：
使用532纳米YAG:Nd激光器进行蒸发，并采用原子力显微镜（AFM）、反射光谱、霍尔效应测量和磁光效应等多种分析方法。
4：实验步骤与操作流程：
在不同温度和铁浓度下生长薄膜，随后对其结构、电学和磁学特性进行表征。
5：数据分析方法：
通过数据分析确定掺杂层的铁磁特性和导电类型。
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