研究目的
研究软X射线辐射损伤对硅衬垫传感器的影响，重点关注能谱退化以及电容和漏电流等关键传感器参数的劣化。
研究成果
研究表明，即使在低剂量下，硅衬垫传感器也会出现显著的辐射损伤效应，其能量分辨率和传感器参数均出现明显退化。该发现强调了在设计高性能X射线探测器时考虑辐射损伤的重要性。
研究不足
该研究仅限于硅衬垫传感器，可能无法完全代表对其他类型探测器的影响。退火过程是在室温下进行的，这可能无法反映所有操作环境中的条件。
1：实验设计与方法选择：
本研究通过铁-55源产生的软X射线对硅片传感器进行系统辐照，以评估辐射损伤效应。
2：样品选择与数据来源：
使用两块硅片传感器（?？?和?？?），其中?？?可分别监测漏电流和片间电容，?？?则用于演示探测器模块的光谱性能测试。
3：实验设备与材料清单：
设备包括用于电容测量的安捷伦E4980A精密LCR表和用于辐照的铁-55放射源。
4：实验流程与操作步骤：
在受控条件下对传感器进行辐照，并定期监测相关参数。辐照后，在无偏置条件下对传感器进行室温退火以观察恢复效应。
5：数据分析方法：
通过分析漏电流、电容、等效噪声电荷（ENC）和能量分辨率等数据来评估辐射损伤效应。
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Agilent E4980A
E4980A
Agilent
Precision LCR meter used for measuring inter-pad capacitance.
E4980A/E4980AL Precision LCR Meter
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Fe-55 radioactive source
Used for irradiating the silicon pad sensors with soft X-rays.
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