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[IEEE 2018国际电力电子会议（IPEC-Niigata 2018 - ECCE Asia） - 日本新潟（2018.5.20-2018.5.24）] 2018国际电力电子会议（IPEC-Niigata 2018 - ECCE Asia） - 基于GaN-HFET的Φ2类逆变器隔离型DC-DC转换器负载波动研究

DOI：10.23919/IPEC.2018.8507466 出版年份：2018 更新时间：2025-09-09 09:28:46
摘要： 近年来，GaN-HFET（异质结场效应晶体管）的开发和应用日益活跃。由于GaN-HFET在高频操作方面具有优势，通过提高开关频率可以实现电源转换器的小型化。本文研究了采用13.56 MHz工作的GaN-HEFT的类Phi-2逆变器电路隔离式DC-DC转换器的负载波动情况。
作者： Yuta Yanagisawa，Yushi Miura，Hiroyuki Handa，Tetsuzo Ueda，Toshifumi Ise
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研究概述 实验方案 设备清单

研究目的

研究采用GaN-HFET、工作在13.56 MHz的Phi-2类逆变器电路的孤立式DC-DC转换器的负载波动情况。

研究成果

采用氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN-HFET）的Phi-2类逆变器电路隔离式DC-DC转换器，可在13.56 MHz频率下运行，在负载波动时具有稳健特性，响应极快且稳定性良好。该电路适用于各种负载条件，可应用于众多工业设备。

研究不足

Phi-2级逆变器需要根据负载和功率对部分电路参数进行调节，并具有固定的占空比和开关频率。实验电路在轻载情况下难以实现正常运行。

SCI高频之选
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    463

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