研究目的
研究硼掺杂对HCDC-PCVD法制备金刚石薄膜形貌及结构特性的影响。
研究成果
该研究成功证明了硼掺杂对HCDC-PCVD法制备金刚石薄膜形貌和结构特性的显著影响。硼掺杂水平得到有效控制与表征，显示出硼流量与薄膜特性之间的明确关系。这些发现有助于理解BDD薄膜的生长特性及其潜在应用。
研究不足
该研究未探讨BDD薄膜的电化学应用，仅关注其形貌与结构特性。文中提及硼掺杂对电学性能的影响，但未深入研究。
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热阴极直流等离子体化学气相沉积法制备的硼掺杂金刚石膜的形貌与结构特性
DOI：10.5755/j01.ms.22.2.12923
期刊：Materials Science
出版年份：2016
更新时间：2025-09-09 09:28:46
摘要：
采用热阴极直流等离子体化学气相沉积法（HCDC-PCVD），根据不同CH4/H2/B(OCH3)3气体混合比例沉积了硼掺杂金刚石（BDD）薄膜。随后通过拉曼光谱和扫描电子显微镜（SEM）对BDD薄膜的拉曼性能与表面形貌进行表征。结果表明，B(OCH3)3流量对所制备硼掺杂金刚石薄膜的生长特性具有显著影响。掺杂硼原子的存在及其浓度明显改变了金刚石薄膜的表面形貌与结构。随着B(OCH3)3流量增加，SEM观测显示晶粒表面逐渐光滑。根据拉曼光谱估算，这些薄膜中的硼掺杂浓度从1.75×101? cm?3提升至最高2.4×1021 cm?3。
作者：
Mengmei PAN，Hongyan PENG，Wanbang ZHAO，Hongwei JIANG
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