研究目的
通过化学气相沉积研究策略性放置水滴对二硫化钼（MoS2）单层生长的影响，以提高大面积MoS2薄膜的可重复性和质量。
研究成果
研究表明，在生长区域的关键位置控制适量的水蒸气会影响三氧化钼前驱体的分压，从而导致二硫化钼的不同生长模式。这种简化的生长技术可用于器件开发中大面积单层二硫化钼的生长。
研究不足
该研究强调了可重复性、覆盖面积、薄膜质量以及相互依赖的实验参数等方面存在的挑战。水滴在基底上的定位机制及其与三氧化钼蒸气的相互作用，将是未来研究的课题。
1：实验设计与方法选择：
本研究采用化学气相沉积法（CVD），以三氧化钼（MoO3）和硫（S）为源材料，在生长前向系统中引入可控量的水蒸气。
2：样品选择与数据来源：
使用表面放置有定量水滴的硅衬底。
3：实验设备与材料清单：
扫描电子显微镜（SEM，日立SU1510）、拉曼光谱仪（Almega XR）、原子力显微镜（AFM，Veeco Nanoscope III）、三氧化钼粉末（纯度≥99.5%，Alfa Aesar）、硫粉（纯度≥99.5%，Alfa Aesar）。
4：0）、拉曼光谱仪（Almega XR）、原子力显微镜（AFM，Veeco Nanoscope III）、三氧化钼粉末（纯度≥5%，Alfa Aesar）、硫粉（纯度≥5%，Alfa Aesar）。 实验步骤与操作流程：
4. 实验步骤与操作流程：衬底经清洗并处理水滴后装入生长腔室，在常压氩气流下进行生长。
5：数据分析方法：
通过SEM、拉曼光谱和AFM研究二硫化钼（MoS2）样品的形貌与尺寸。
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获取完整内容-
SEM
Hitachi-SU1510
Hitachi
Studying the morphology and dimensions of the MoS2 samples
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AFM
Veeco Nanoscope III
Veeco
Measuring the dimension and thickness of the monolayers of MoS2
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Raman spectrometer
Almega XR
Determining the phonon spectra of the films
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MoO3 powder
Alfa Aesar
Source material for MoS2 growth
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Sulfur powder
Alfa Aesar
Source material for MoS2 growth
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