研究目的
通过开发稳健的TSV电学模型并表征高频下TSV的行为，实现基于TSV技术的3D芯片设计。
研究成果
该研究成功表征了高达65 GHz的S/G TSV S参数（经全波电磁仿真验证），并提取了关键传输线特性。研究结果表明TSV性能取决于硅衬底属性和物理布局，强调设计者在三维集成中需考虑这些变量。
研究不足
该研究的局限性在于无法直接探测垂直TSV互连，需通过对称的S/G TSV对经由链进行测量。此外，衬底电阻率和物理布局会显著影响信号完整性，给设计优化带来挑战。
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三维信号/地硅通孔的高频电学特性表征
DOI：10.2528/pierl14052704
期刊：Progress In Electromagnetics Research Letters
出版年份：2014
更新时间：2025-09-09 09:28:46
摘要：
采用硅通孔（TSV）技术的三维集成因其卓越的封装效率而备受关注，该技术能实现更高功能密度、更优性能表现并降低功耗。要实现基于TSV技术的三维芯片设计，必须建立可靠的TSV电学模型。特别是随着信号速率进入吉赫兹（GHz）频段，高频电学特性表征最能准确描述TSV行为。本文采用通孔中段集成方案制备了5×50微米TSV，并通过S参数测试对其进行了高达65GHz的表征。测试结果显示：在50GHz频率下，测得单通孔衰减常数为0.35dB/通孔，时延为0.7皮秒/通孔。
作者：
Steve Adamshick，Robert Carroll，Megha Rao，Douglas La Tulipe，Seth Kruger，John Burke，Michael Liehr
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