研究目的
研究氢稀释比对PECVD技术沉积的氢化硅薄膜结构和光学性质的影响。
研究成果
在等离子体增强化学气相沉积（PECVD）过程中进行氢稀释可提高硅薄膜的结晶度，并影响其光学和结构特性。热退火处理能进一步提升结晶度并降低光学带隙。
研究不足
该研究聚焦于氢气稀释和热退火对等离子体增强化学气相沉积（PECVD）法制备硅薄膜的影响，未探究其他沉积参数及其相互作用。
1：实验设计与方法选择：
本研究采用等离子体增强化学气相沉积（PECVD）技术，通过改变氢稀释比例制备氢化硅薄膜。利用拉曼光谱、紫外反射、X射线衍射、光谱椭偏仪和原子力显微镜分析其结构与光学特性。
2：样品选择与数据来源：
氢化硅薄膜沉积于n型（100）单晶硅衬底上，通过调节氢稀释比例研究其对薄膜性能的影响。
3：实验设备与材料清单：
Elettrorava Spa射频PECVD系统、DEKTAK3 ST轮廓仪、岛津UV-Vis-NIR UV-3100 PC分光光度计、HORIBA Jobin-Yvon UVISEL DH10椭偏仪、飞利浦PW 1840 X射线衍射仪、JobinYvon T6400光谱仪、Nanoscope III原子力显微镜。
4：实验流程与操作步骤：
在固定射频功率密度、气压、衬底温度、电极间距及沉积时间条件下制备薄膜，沉积后样品经900°C退火处理1小时。
5：数据分析方法：
综合多种表征技术数据，研究氢稀释比例对薄膜性能的影响规律。
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UV-Vis-NIR Shimadzu UV-3100 PC spectrophotometer
UV-3100 PC
Shimadzu
Reflectance and absorbance measurements
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HORIBA Jobin-Yvon UVISEL DH10 ellipsometer
UVISEL DH10
HORIBA Jobin-Yvon
Spectroscopic ellipsometry measurements
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Elettrorava Spa radio-frequency PECVD system
Elettrorava Spa
Deposition of hydrogenated silicon films
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DEKTAK3 ST profilometer
DEKTAK3 ST
Measurement of film thickness
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Philips PW 1840 X-ray diffractometer
PW 1840
Philips
X-ray diffraction analysis
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JobinYvon T6400 spectrometer
T6400
JobinYvon
Raman spectroscopy
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Nanoscope III AFM
Nanoscope III
Atomic force microscopy
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