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氧化镓 || 氧化镓的欧姆接触

DOI:10.1016/B978-0-12-814521-0.00010-5 出版年份:2019 更新时间:2025-09-09 09:28:46
摘要: 在半导体表面沉积金属以形成低接触电阻、高可靠性的电接触,同时确保金属化过程不对器件造成不利影响,这是器件制造中最关键的挑战之一。因此,深入理解接触机制对器件的成功制造与商业化至关重要。载流子穿越金属-半导体结的物理特性决定了金属接触呈现整流性(即肖特基接触)或非整流性。当电流-电压关系具有低界面接触电阻Rc且呈理想线性时,这种非整流接触被称为欧姆接触。过去针对每类半导体材料,实现低接触电阻Rc(Ω·mm)或接触电阻率ρc(Ω·cm2)都需大量研究。通常欧姆接触的成功制备依赖三个核心要素:高掺杂或简并半导体、金属化材料选择及热退火工艺。以硅为例,早期研究多聚焦扩散工艺,但离子注入的可控性与重复性最终使其成为行业标准。对于基于GaAs或GaN的化合物半导体异质结构器件,二维电子气(2DEG)的存在要求采用多层金属化沉积与退火方案,其工艺细节历经多年优化。特别在III族氮化物高电子迁移率晶体管(HEMTs)中,由于位错密度高导致退火时通过缺陷辅助形成金属-氮化物合金而降低势垒高度,异质外延GaN上较易形成欧姆接触。然而随着GaN晶体生长技术突破,同质外延GaN的位错密度降低数个数量级,在相同工艺条件下获得的接触电阻自然更高[1]。为此,提供n+掺杂GaN的再生长技术已成为常规手段。
作者: Marko J. Tadjer
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研究概述 实验方案 设备清单

研究氧化镓欧姆接触的形成与优化,以实现器件制造与商业化。

该研究得出结论:尽管制备与Ga2O3具有低接触电阻率的欧姆接触相对容易,但仍需进一步研究以获得可靠的接触。研究强调需要通过控制实验系统地比较不同金属化方案,并探究各种因素对接触性能的影响。

该研究指出,目前缺乏关于长期接触可靠性的研究,并强调需要进一步开展量化分析,以明确清洁预处理、注入元素、晶体各向异性及相态等因素对欧姆接触性能的影响。

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