研究目的
研究(2201)β-Ga2O3上电介质的能带排列，用于功率电子和紫外探测应用。
研究成果
该研究得出结论：理解和正确选择β-Ga2O3的栅极介质对器件性能至关重要。研究指出沉积方法会导致带阶差异，并建议需进一步优化工艺条件以实现稳定的带对准。同时，该研究还探讨了各类介质材料在Ga2O3基器件中的应用潜力。
研究不足
该研究仅限于β相Ga2O3，未探索其他晶相。能带排列高度依赖于加工条件，而这些条件尚未完全优化。研究还指出，由于金属污染、界面无序和表面终止等因素，文献报道值可能存在差异。
1：实验设计与方法选择：
本研究采用紫外-可见光谱（UV-Vis）或反射电子能量损失谱（REELS）测定β-Ga2O3上各类介质的带隙，通过X射线光电子能谱（XPS）确定带偏移。
2：样品选择与数据来源：
样品包括β-Ga2O3衬底及其表面沉积的多种介质材料。
3：实验设备与材料清单：
设备包含UV-Vis光谱仪、REELS、XPS、射频磁控溅射系统及原子层沉积（ALD）系统；材料包括β-Ga2O3衬底、Al2O3、LaAl2O3、SiO2、HfSiO4、ITO和AZO。
4：LaAl2OSiOHfSiOITO和AZO。 实验流程与操作步骤：
4. 实验流程与操作步骤：通过射频磁控溅射或ALD在β-Ga2O3上沉积介质，采用REELS测量带隙，XPS测定带偏移。
5：数据分析方法：
基于Kraut方法对XPS数据进行带偏移计算。
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获取完整内容-
UV-Vis spectrometer
Used for determining the bandgap of materials through absorption measurements.
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REELS
Used for direct measurement of bandgap via electron energy loss spectroscopy.
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XPS
Used for precise measurement of core levels and valence band edges to determine band offsets.
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rf-magnetron sputtering system
Used for depositing thin films of dielectrics on β-Ga2O3.
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ALD system
Used for atomic layer deposition of dielectrics on β-Ga2O3.
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