研究目的
掺钛氧化铟锡薄膜光电特性的研究
研究成果
掺钛氧化铟锡（Ti-doped ITO）薄膜在400°C衬底温度下展现出优异的光电特性，具有有利的电阻率、载流子浓度和载流子迁移率。钛掺杂的显著贡献表明其高度适用于光电器件应用。
研究不足
本研究仅限于探讨衬底温度对掺钛氧化铟锡（Ti-doped ITO）薄膜性能的影响，未涉及其他制备参数或掺杂浓度的潜在影响。
1：实验设计与方法选择：
采用直流磁控溅射法制备钛掺杂氧化铟锡（Ti-doped ITO）薄膜，固定溅射功率为100 W，衬底温度从室温至500°C变化。
2：样品选择与数据来源：
在光学级EAGLE XG玻璃衬底上制备了厚度为350 nm的钛掺杂ITO薄膜。
3：实验设备与材料清单：
使用直流磁控溅射系统、紫外/可见/近红外分光光度计、霍尔测量系统、X射线衍射仪（XRD）和原子力显微镜（AFM）。
4：实验步骤与操作流程：
在不同衬底温度下沉积薄膜，并测量其光学、电学和结构特性。
5：数据分析方法：
光学特性通过分光光度计测量，电学特性通过霍尔测量系统测量，结构特性通过XRD和AFM测量。
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