研究目的
研究基于铌酸锂的光学马赫-曾德尔调制器通过光折变效应提高消光比的方法，以应用于量子密钥分发系统。
研究成果
光折变效应可用于校正X/Y功率分束器的分光比，从而提高马赫-曾德尔调制器的消光比。具有更高消光比的调制器在量子密钥分发系统应用中颇具前景。该研究成果可为其他校正方法的进一步研究提供指导。
研究不足
制造精度无法进一步提高，因此需要研究已制造波导元件的校正方法。光折变校正要求对光斑位置和强度进行精确控制。
1：实验设计与方法选择：
本研究利用光折变效应来校正马赫-曾德尔调制器中X/Y分束器的分光比。
2：样本选择与数据来源：
实验基于铌酸锂材料的集成光学马赫-曾德尔调制器开展。
3：实验设备与材料清单：
氦氖激光器（633nm，4.5mW）、标准单模光纤、三轴位移台、DFB激光二极管、光纤衰减器、偏振控制器、光电探测器、显微镜。
4：5mW）、标准单模光纤、三轴位移台、DFB激光二极管、光纤衰减器、偏振控制器、光电探测器、显微镜。 实验流程与操作步骤：
4. 实验流程与操作步骤：通过局部辐照铌酸锂晶圆研究其对分束器的影响，使用三轴位移台调节光斑定位。
5：数据分析方法：
测量分光比随光斑位置变化的函数关系。
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获取完整内容-
He-Ne laser
633 nm, 4.5 mW
Local irradiation of the lithium niobate wafer
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single-mode optical fiber
Transmitting light from the He-Ne laser to the sample
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3-axis translation stage
Positioning the light spot on the integrated optical scheme
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DFB-laser diode
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fiber optical attenuator
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polarization controller
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optical detector
Detecting the output signal
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microscope
Observing the sample
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