研究目的
研究采用旋涂玻璃源/漏掺杂和场板结构以提高击穿电压的Ga2O3 MOSFET中的击穿机制。
研究成果
实验表明，横向击穿电压主要受空气击穿或氟化液击穿限制，尚未达到Ga?O?的本征击穿电位。要观察到Ga?O?的本征击穿，必须通过精心设计和封装来降低外在击穿因素。
研究不足
横向击穿电压主要受空气击穿或氟化液击穿限制，尚未达到Ga?O?的本征击穿电位。需通过精心设计和封装以降低外在击穿，才能观测到Ga?O?的本征击穿特性。
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[IEEE第76届器件研究会议(DRC) 2018 - 美国加利福尼亚州圣巴巴拉 (2018.6.24-2018.6.27)] 第76届IEEE器件研究会议(DRC) - 场板Ga2O3 MOSFET实现710V击穿电压
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[IEEE第76届器件研究会议(DRC) 2018 - 美国加利福尼亚州圣巴巴拉 (2018.6.24-2018.6.27)] 第76届IEEE器件研究会议(DRC) - 场板Ga2O3 MOSFET实现710V击穿电压
DOI：10.1109/DRC.2018.8442222
出版年份：2018
更新时间：2025-09-09 09:28:46
摘要：
β-氧化镓（Ga2O3）因其高巴利加优值（BFoM）和成熟的体衬底生长技术，正成为下一代功率电子应用的优选材料。最新实验表明其作为下一代功率半导体极具潜力：已有报道实现击穿电压750V的MOSFET[1]、超过1.5A/mm的大导通电流密度[2]，以及通过界面态调制实现的增强型工作模式[3]。为提升β-Ga2O3 MOSFET的击穿电压，需降低栅极氧化物及栅漏区附近空气中的电场强度——这些区域可能在沟道内本征Ga2O3击穿前率先发生击穿。本报告设计了一种复合ALD/PECVD场板结构，使Ga2O3 MOSFET击穿电压提升至最大710V。通过对比场板器件与非场板器件的表现，证实击穿发生在沟道外及场板氧化物区域，表明沟道仍处于远离击穿条件的状态。
作者：
Ke Zeng，Abhishek Vaidya，Uttam Singisetti
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