研究目的
研究通过金属有机气相外延法在a面(11 0)蓝宝石衬底上生长的GaN(0001)异质外延层的结构特性,并理解这些特性的各向异性。
研究成果
GaN层结构特性的各向异性与热弹性层变形无关,而是由层-衬底平面中的取向关系决定。研究认为,这种结构各向异性与GaN(0001)/Al2O3(110)外延生长机制相关,甚至在高温度下层生长过程中就已产生。
研究不足
本研究仅限于通过金属有机气相外延法(MOVPE)在a面蓝宝石衬底上生长的GaN层的分析。该层结构特性的各向异性与弹性应力之间的关系尚不明确。
1:实验设计与方法选择:
采用X射线衍射技术分析GaN层的结构特性。
2:样品选择与数据来源:
在a面(110)蓝宝石衬底上制备了两种具有不同面内取向关系的GaN(0001)层。
3:实验设备与材料清单:
使用布鲁克D8 Discover衍射仪进行XRD分析。
4:实验步骤与操作流程:
记录了GaN层{114}和{105}两组衍射峰的摇摆曲线,并测量了不同样品旋转角度下(0004)GaN反射峰的RC宽度。
5:数据分析方法:
将XRD RC宽度作为镶嵌单晶质量的综合特征进行分析。
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