研究目的
提出一种采用65纳米CMOS工艺、适用于60 GHz频段应用的紧凑型宽带耦合器。
研究成果
所提出的微型化60GHz宽带耦合器在50至67GHz频段内实现了幅度不平衡<1dB、相位不平衡<4°、回波损耗优于13dB、隔离度优于20dB的优异性能，其紧凑尺寸仅为0.024mm2，验证了该器件适用于高数据速率的60GHz无线应用场景。
研究不足
模拟结果与实测结果存在差异，部分损耗归因于制造过程中产生的互连结构和虚拟单元。
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65纳米CMOS工艺下适用于60GHz频段的微型化宽带耦合器
DOI：10.1109/LMWC.2018.2875351
期刊：IEEE Microwave and Wireless Components Letters
出版年份：2018
更新时间：2025-09-09 09:28:46
摘要：
本文提出了一种采用65纳米CMOS工艺、适用于60GHz频段应用的紧凑型宽带耦合器。通过采用耦合线蜿蜒结构，实现了小型化设计。该耦合器在60GHz频点测得输入端口与直通端口（S21）间插入损耗为6.3dB，输入端口与耦合端口（S31）间为5.6dB。实测幅度不平衡度为0.75dB，相位差为92°。整体而言，在50至67GHz频段内，该耦合器实测幅度不平衡度<1dB，相位不平衡度<4°，回波损耗优于13dB，隔离度优于20dB。此外，其核心区域仅占156μm×157μm（0.024mm2）。
作者：
Peng Siew Chew，Kaixue Ma，Zhi Hui Kong，Kiat Seng Yeo
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