研究目的
量化关键工艺参数对最先进InGaP/GaAs异质结双极晶体管(HBT)中向上热流的影响,针对不同发射极面积和形状进行研究。
研究成果
该论文表明,有限元模拟(FEM)与实验设计(DOE)的结合为分析InGaP/GaAs异质结双极晶体管(HBT)的热性能提供了一种高效且精确的方法。研究强调了发射极和金属化层厚度对热阻的显著影响,其中较厚的金属化层能增强散热效果。该方法可推广至其他技术领域,为器件设计优化提供有价值的见解。
研究不足
该研究聚焦于稳态热模拟,未考虑正常工作状态下的非线性热效应。分析仅限于InGaP/GaAs HBT器件,将该方法扩展至其他技术需获取版图文件和材料信息。
1:实验设计与方法选择:
本研究采用一种结合商业三维有限元法(FEM)求解器与自主开发程序的工具,该工具可实现自动化几何构建、优化网格生成、顺序求解及数据存储/处理。通过实验设计(DOE)基于FEM数据建立热阻模型。
2:样本选择与数据来源:
被测器件(DUTs)为Qorvo公司制造的台面隔离单发射极NPN异质结双极晶体管(HBT),生长于625微米厚的砷化镓(GaAs)衬底上。
3:实验设备与材料清单:
使用COMSOL Multiphysics进行FEM仿真,MATLAB运行自主程序,Griesmann的GDSII工具箱用于从GDS文件导入版图。
4:实验流程与操作步骤:
自主程序实现从GDS文件自动生成三维几何结构、划分网格、在COMSOL中执行仿真及数据处理。热问题定义顶部和侧面为绝热边界条件,晶圆背面为等温条件。
5:数据分析方法:
根据基极-发射极结温升与耗散功率计算热阻RTH。采用DOE将RTH建模为关键工艺参数的函数。
独家科研数据包,助您复现前沿成果,加速创新突破
获取完整内容