研究目的
研究Al2O3缓冲层和退火处理对AZO薄膜结构及光电性能的影响。
研究成果
研究表明，在真空中使用Al2O3缓冲层并经过500°C退火处理，能显著改善AZO薄膜的结构和光电性能，实现低至9.70×10?? Ω·cm的电阻率和约85%的高光学透过率?；疑锟诜椒苡行в呕嘈阅苤副甑某粱问?。
研究不足
该研究聚焦于Al2O3缓冲层厚度及退火工艺对AZO薄膜的影响，但未探究其他缓冲材料或超过500°C真空退火条件下的情况。
1：实验设计与方法选择：
本研究采用射频磁控溅射技术在玻璃基底上沉积AZO薄膜，运用灰色Taguchi方法优化沉积参数。
2：样品选择与数据来源：
使用玻璃基底（康宁1737F），经丙酮超声清洗、去离子水冲洗后氮气吹干。
3：实验设备与材料清单：
包括射频磁控溅射系统、接触角测量仪（FACE CA-VP150）、表面轮廓仪（AMBIOS XP-1）、扫描电镜（JEOL JSM-6500F）、原子力显微镜（PSIA-XE-100）、X射线衍射仪（理学Rigaku-2000 X射线发生器）、四探针法测试仪（三菱化学MCP-T600）及紫外-可见分光光度计（日立U-4100）。
4：0）、表面轮廓仪（AMBIOS XP-1）、扫描电镜（JEOL JSM-6500F）、原子力显微镜（PSIA-XE-100）、X射线衍射仪（理学Rigaku-2000 X射线发生器）、四探针法测试仪（三菱化学MCP-T600）及紫外-可见分光光度计（日立U-4100）。 实验流程与操作步骤：
4. 实验流程与操作步骤：包含玻璃基底氧等离子体刻蚀、Al2O3缓冲层与AZO薄膜沉积、真空退火及薄膜表征。
5：数据分析方法：
采用灰色关联分析法进行参数优化，利用谢乐公式估算晶粒尺寸。
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获取完整内容-
SEM
JEOL JSM-6500F
JEOL
Determination of cross-sectional and surface morphology
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X-ray diffraction
Rigaku-2000 X-ray Generator
Rigaku
Measurement of films’ structural properties
-
UV–vis spectrophotometer
Hitachi, U-4100
Hitachi
Measurement of optical transmittance
-
rf magnetron sputtering system
Deposition of AZO films
-
contact angle measurement system
FACE CA-VP150
Measurement of water contact angle
-
surface profilometer
AMBIOS XP-1
Measurement of film thickness
-
AFM
PSIA-XE-100
PSIA
Obtaining topographical images
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four-point probe method
Mitsubishi chemical MCP-T600
Mitsubishi chemical
Determination of electrical resistivity
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