研究目的
通过瞬态缺陷动力学研究非晶硒薄膜亚带隙区域（本征吸收极弱）的超快宽带全光开关效应。
研究成果
该研究展示了a-Se薄膜亚带隙区域中基于短寿命瞬态缺陷动力学的皮秒级超快宽带全光开关新现象。第一性原理计算支持实验发现，表明其在高速光开关应用中的潜力。
研究不足
本研究仅限于非晶硒薄膜的特定性质及所述实验条件。对光激发的完全非绝热模拟进行了近似处理，可能无法捕捉该过程的所有复杂性。
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超快缺陷动力学：采用非晶硒薄膜实现全光宽带开关的新方法
DOI：10.1063/1.4927543
期刊：AIP Advances
出版年份：2015
更新时间：2025-09-04 15:30:14
摘要：
光学开关比电子器件具有更高的切换速度，但大多数情况下利用有源介质的带间跃迁实现切换，这会导致信号严重损耗。本文展示了一种简单而高效的超快宽带全光开关技术——在a-Se薄膜的亚带隙区域（本征吸收极弱）实现皮秒量级切换。该光学开关现象源于能隙中形成局域态且具有强电子-声子耦合的短寿命瞬态缺陷。我们通过第一性原理模拟对这些过程进行建模，结果与实验数据相符。
作者：
Rituraj Sharma，Kiran Prasai，D. A. Drabold，K. V. Adarsh
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