研究目的
研究一种具有增强功率处理能力的小型高功率510-560 GHz砷化镓肖特基二极管基倍频器。
研究成果
基于一种新型片上功率合成拓扑结构的510-560 GHz三倍频器已成功研制，其单芯片亚毫米波倍频器的功率处理能力提升了四倍。该三倍频器实现了30 mW的世界纪录输出功率水平，转换效率达8-9%，较先前技术水平提高了十倍。
研究不足
在约556 GHz处输出功率的突然下降是由于该频率下水分子谱线导致的衰减。超过560 GHz后，放大器出现滚降，因此输入功率不足以正确驱动倍频器和三倍频器。
1：实验设计与方法选择：
该设计过程采用传统单芯片器件的迭代流程，通过片上功率合成拓扑结构将多个倍频结构集成于单个芯片。
2：样品选择与数据来源：
该器件包含六个阳极尺寸约20微米的肖特基二极管，安装于15微米砷化镓单晶衬底上。
3：实验设备与材料清单：
安立MG3690C/3/15B高输出功率40GHz信号发生器、JPL功率合成GaN HEMT放大器、JPL高功率片上功率合成180GHz倍频器、VDi-Erickson PM4功率计。
4：实验步骤与操作流程：
W波段本振信号由信号发生器提供，经放大后驱动180GHz倍频器，再通过510-560GHz三倍频器。输出功率通过连接功率计的WR-1.7至WR-10过渡波导进行测量。
5：7至WR-10过渡波导进行测量。 数据分析方法：
5. 数据分析方法：输出功率与转换效率的测量计算未对过渡波导损耗进行修正。
独家科研数据包，助您复现前沿成果，加速创新突破
获取完整内容-
Anritsu MG3690C/3/15B
MG3690C/3/15B
Anritsu
High-output-power 40 GHz synthesizer
-
VDi-Erickson PM4 power meter
PM4
VDi-Erickson
Measurement of output power
-
JPL power-combined GaN HEMT amplifier
JPL
Amplification of W-band LO signal
-
JPL high-power on-chip power combined 180 GHz doubler
JPL
Frequency doubling
-
登录查看剩余2件设备及参数对照表
查看全部
