研究目的
研究采用HfO2-Al2O3层状介质的高k/n-InAlAs MOS电容器性能，应用于InAs/AlSb和InAlAs/InGaAs高电子迁移率晶体管。
研究成果
采用4纳米厚HfO2与8纳米厚Al2O3的HfO2–Al2O3/n-InAlAs金属-氧化物-半导体电容器展现出优异性能，包括更低的漏电流和更高的导带偏移量，使其适用于高电子迁移率晶体管领域。
研究不足
该研究未详细探究泄漏电流机制，这计划在未来工作中开展。也未充分研究HfO2与Al2O3厚度比对器件性能的影响。
1：实验设计与方法选择：
本研究通过制备并比较不同HfO2与Al2O3厚度比的MOS电容器。
2：样本选择与数据来源：
样本包括简单的HfO2/n-InAlAs MOS电容器及两种具有不同厚度比的HfO2–Al2O3/n-InAlAs MOS电容器。
3：实验设备与材料清单：
采用原子力显微镜（AFM）、聚焦离子束（FIB）、扫描电子显微镜（SEM）和X射线光电子能谱（XPS）进行物理特性表征；通过电容-电压（C-V）和电流-电压（I-V）测试进行电学特性表征。
4：实验流程与操作步骤：
MOS电容器采用原子层沉积（ALD）工艺制备介质层，随后进行退火处理（PDA）及电极沉积。
5：数据分析方法：
根据测试结果计算等效氧化层厚度（EOT）、有效氧化物电荷密度（Neff）及导带偏移量（?ECB）。
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