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[IEEE 2018年国际半导体会议（CAS）- 罗马尼亚锡纳亚（2018.10.10-2018.10.12）] 2018年国际半导体会议（CAS）- 二次谐波产生：一种介质-半导体界面的无损表征方法

DOI：10.1109/SMICND.2018.8539758 出版年份：2018 更新时间：2025-09-04 15:30:14
摘要： 本文综述了二次谐波产生（SHG）技术在微电子和光伏领域中用于表征介电-半导体界面的应用?；诜窍咝怨庋г?，该方法具有无损特性，因而特别适用于薄膜材料。理论基础表明，该技术能够探测界面处的电场，从而实现对氧化物中界面态密度或固定电荷的无损测量。文中将展示两个更详细的SHG表征应用实例：采用薄膜沉积氧化铝钝化硅材料，以及绝缘体上硅衬底的界面分析。
作者： I. Ionica，D. Damianos，A. Kaminski-Cachopo，D. Blanc-Pelissier，M. Lei，J. Changala
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研究概述 实验方案 设备清单

研究目的

回顾二次谐波产生（SHG）技术在微电子和光伏领域中对介电-半导体界面进行无损表征的应用，重点在于获取界面处的电场以及测量氧化物中的界面态密度或固定电荷。

研究成果

二次谐波（SHG）是一种无损且灵敏的技术，适用于表征电介质-半导体界面，尤其适用于薄膜材料。该技术能提供界面电场、固定电荷和陷阱密度的信息。通过对Al2O3/Si钝化层及SOI衬底的研究验证了该方法的有效性，凸显了其在微电子学和光伏领域的应用潜力。

研究不足

该技术需要理解并将光学现象与电学特性解相关联，以实现定量表征。研究仅限于特定应用（Al2O3/Si和SOI），可能需要扩展到其他材料和界面。

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