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高温高应变率下SiC的冲击损伤与断裂

DOI:10.1016/j.actamat.2018.12.035 期刊:Acta Materialia 出版年份:2018 更新时间:2025-09-04 15:30:14
摘要: 采用大规模分子动力学模拟方法,研究了初始温度为2000K、拉伸应变率约10^10 s^-1条件下3C-SiC单晶的冲击损伤与断裂行为。评估了[001]、[110]和[111]三种晶向,通过对比2000K与300K工况揭示了高温对冲击加载下SiC力学性能的影响。结果表明:冲击压缩时高温会降低纵向弹性波速及冲击应力;300K下塑性变形主要表现为形变孪生,而2000K时未出现孪生现象。高温使SiC结构相变阈值压力从300K时的~90GPa(各晶向)分别降至2000K时的[001]晶向~75GPa、[110]晶向~57GPa和[111]晶向~64GPa,对应粒子速度分别为2.75km/s、2.0km/s和2.25km/s,与近期实验观测趋势一致。层裂行为显示高温降低了层裂强度——经典层裂区2000K时[001]、[110]和[111]晶向平均层裂强度分别约为20.7GPa、21.4GPa和22.5GPa,较300K时降低约33%;但微层裂区两温度下的层裂强度相近。除[001]加载外,触发层裂的粒子速度阈值及过驱相变波产生阈值均随温度升高而降低。
作者: Wanghui Li,Eric N. Hahn,Xiaohu Yao,Timothy C. Germann,Xiaoqing Zhang
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研究概述 实验方案 设备清单

研究高温对冲击载荷下SiC力学性能的影响,包括冲击诱导损伤与断裂、塑性以及结构相变。

样品初始温度较高会显著影响碳化硅的冲击特性,包括降低纵向弹性波速和冲击应力、抑制变形孪晶形成,并减小结构相变阈值压力。除微层裂状态下两种温度的层裂强度相近外,高温下层裂强度也会降低。

该研究仅限于分子动力学模拟,可能无法完全捕捉实验条件下观察到的所有物理现象。模拟还受到可用计算资源的限制,从而制约了体系规模和模拟时长。

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