研究目的
研究采用集成无源器件技术在砷化镓(GaAs)衬底上实现微加工宽带带阻滤波器,以有效应用于无线通信领域。
研究成果
制造的波导带阻滤波器(WBBSF)在砷化镓衬底上展现出良好的射频性能,这对高度集成的宽带射频??橹凉刂匾8寐瞬ㄆ髟?0.72 GHz频率处谐振,在阻带中产生超过-38 dB的衰减水平。
研究不足
多层结构建模的制造复杂性,以及由此导致的S21频率响应测量中的轻微偏差。
研究目的
研究采用集成无源器件技术在砷化镓(GaAs)衬底上实现微加工宽带带阻滤波器,以有效应用于无线通信领域。
研究成果
制造的波导带阻滤波器(WBBSF)在砷化镓衬底上展现出良好的射频性能,这对高度集成的宽带射频??橹凉刂匾8寐瞬ㄆ髟?0.72 GHz频率处谐振,在阻带中产生超过-38 dB的衰减水平。
研究不足
多层结构建模的制造复杂性,以及由此导致的S21频率响应测量中的轻微偏差。
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