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基于混合CMOS与新兴硅纳米线场效应晶体管的逻辑锁定技术

DOI：10.3390/electronics6030069 期刊：Electronics 出版年份：2017 更新时间：2025-09-04 15:30:14
摘要： 将集成电路（IC）制造服务外包给海外代工厂，引发了关于知识产权（IP）保护及芯片成品完整性维护方面的安全与隐私担忧。通过嵌入额外密钥门（即逻辑加密或逻辑锁定）对IP设计进行加密和混淆，是防范IC恶意攻击的一种方式。现有最先进的逻辑加密技术确实会给原始IP设计带来显著的性能开销。本文重点研究如何利用新兴晶体管技术的独特特性，在降低性能开销的同时保持逻辑锁定技术的鲁棒性。我们采用硅纳米线场效应晶体管（SiNW FETs）设计多态逻辑门，以替代传统的基于异或（XOR）的逻辑锥结构。随后基于安全指标和性能开销对所提技术进行评估。
作者： Qutaiba Alasad，Jiann-Shuin Yuan，Yu Bi
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研究概述 实验方案 设备清单

研究目的

利用硅纳米线场效应晶体管（SiNW FETs）设计的可变逻辑门对IP设计进行加密和混淆，以?；ぜ傻缏罚↖Cs）免受恶意攻击，从而降低性能开销并保持逻辑锁定技术的鲁棒性。

研究成果

该论文表明，与传统的CMOS技术相比，使用新兴晶体管技术（即硅纳米线场效应晶体管SiNW FETs）能够通过保持更低的功耗和面积消耗来改进逻辑锁定设计。一种智能布局算法实现了正确输出位与错误输出位之间50%的汉明距离，显示出强大的安全性。研究指出，安全性可作为评估新兴器件的新标准，并预期该领域将产生更多研究成果。

研究不足

该论文未明确提及研究的具体局限性。然而，潜在的优化领域可能包括进一步降低性能开销，以及增强针对更复杂攻击的安全性。

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