研究目的
利用温度相关的死区模型研究InP/InGaAs雪崩光电二极管的击穿电压和带宽，以设计具有低温系数的APD。
研究成果
所提出的温度相关死区模型与实验结果一致，显示出击穿电压具有90 mV/K的低温度系数。该模型可靠，可指导具有可控温度灵敏度的APD设计，尽管在更广泛应用中平衡增益和带宽仍存在挑战。
研究不足
该模型可能存在简化处理，例如假设电离后剩余能量为零，且雪崩光电二极管（APD）中增益与带宽的权衡限制了其在高速通信系统和量子通信系统中的同步应用。
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磷化铟/铟镓砷雪崩光电二极管的温度依赖性仿真与特性研究
DOI：10.1007/s12200-018-0851-8
期刊：Frontiers of Optoelectronics
出版年份：2019
更新时间：2025-09-23 15:23:52
摘要：
基于新提出的温度相关死区模型，我们研究了-50°C至100°C温度范围内InP/InGaAs雪崩光电二极管（APD）的击穿电压和带宽。结果表明，所提模型与实验数据相符。本研究可为设计具有可控低温度系数的APD提供指导。
作者：
Yanli ZHAO，Junjie TU，Jingjing XIANG，Ke WEN，Jing XU，Yang TIAN，Qiang LI，Yuchong TIAN，Runqi WANG，Wenyang LI，Mingwei GUO，Zhifeng LIU，Qi TANG
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