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强疏水厚多孔硅染色膜特性的研究

DOI:10.1007/s12633-018-0055-2 期刊:Silicon 出版年份:2019 更新时间:2025-09-23 15:23:52
摘要: 通过氢氟酸(HF)和五氧化二钒(V2O5)混合溶液对p型硅基底进行化学蚀刻,成功制备出具有强疏水性的多孔硅(PSi)结构。采用扫描电子显微镜(SEM)、接触角测量和傅里叶变换红外光谱(FTIR)对加工后硅表面的形貌与微观结构进行了表征。结果表明:所获结构呈现具有硅多孔柱(PPSi)的分级多孔表面,且表面展现出优异的疏水性。在10ppm二氧化氮(NO2)气体环境中测试了这些PPSi结构的电学性能,室温下响应时间约为30秒。研究证实PPSi/Si结构长期保持高疏水性,适用于自清洁领域,并有望成为制备实用化NO2传感器的优良候选材料。
作者: Maha Ayat,Noureddine Gabouze,Mohamed Kechouane,Chafiaa Yaddadene,Malika Berouaken,Katia Ayouz,Luca Boarino
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研究概述 实验方案 设备清单

研究通过氢氟酸和五氧化二钒化学蚀刻法制备多孔硅结构的工艺、形貌特性、疏水性及气体传感性能,探索其在自清洁表面和二氧化氮传感器中的潜在应用。

该研究通过HF/V2O5蚀刻法成功制备了疏水性多孔硅柱,在较长蚀刻时间下(接触角高达128°)疏水性显著增强。这些结构展现出对NO2的优异气体传感性能,具有快速响应时间(30秒)和低偏压下的高灵敏度,表明其在自清洁应用及实际NO2传感器方面具有潜力。未来工作应探索其他应用并优化传感参数。

该研究仅限于p型硅衬底和特定蚀刻条件,未探索其他材料或氧化剂。气体传感测试仅在10 ppm浓度和室温条件下针对NO?进行,未涵盖其他气体或浓度。超过2周的长期稳定性尚未充分评估,工业化应用的可扩展性可能需要进一步优化。

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