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高通量纳米孔与离子通道信号的小波去噪

DOI:10.1021/acs.nanolett.8b04388 期刊:Nano Letters 出版年份:2019 更新时间:2025-09-23 15:23:52
摘要: 近期研究通过采用集成互补金属氧化物半导体(CMOS)集成电路,将固态纳米孔电导记录的噪声限制带宽提升至超过5 MHz,离子通道电导记录则超过500 kHz。尽管当采用正弦基函数时,这些记录所特有的脉冲状信号存在频谱展宽现象,但人们通常使用贝塞尔滤波器来降噪以获得可接受的信噪比(SNR),代价是损失许多更快的时间特征。在此,我们报道了采用小波降噪而非贝塞尔滤波所能实现的SNR改进。当与最先进的高带宽CMOS记录仪器结合使用时,与2.5 MHz贝塞尔滤波器相比,我们能将基线噪声水平降低四倍以上,同时保留与该滤波器带宽相当的信号瞬态特性。同样地,对于离子通道记录,我们实现了优于100 kHz贝塞尔滤波器的时间响应,且噪声水平与25 kHz贝塞尔滤波器相当。SNR的提升可用于对这些记录进行稳健的统计分析,这可能为纳米孔易位动力学和离子通道功能机制提供重要见解。
作者: Siddharth Shekar,Chen-Chi Chien,Andreas Hartel,Peijie Ong,Oliver B Clarke,Andrew Marks,Marija Drndic,Kenneth L. Shepard
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研究概述 实验方案 设备清单

采用小波去噪技术替代传统贝塞尔滤波,在保留时间信号特征的同时提高高带宽纳米孔和离子通道电导记录的信噪比(SNR)。

与贝塞尔滤波器相比,小波去噪能显著提升高带宽纳米孔和离子通道记录的信噪比,在保留时间特征的同时将噪声降低四倍以上。这使得更优的统计分析和动力学洞察成为可能,在疾病研究和分析物检测中具有潜在应用价值。

小波去噪假设细节系数的振幅呈高斯分布,但强噪声成分(如电磁干扰)可能违背这一假设,需通过屏蔽手段进行抑制。该技术的性能取决于信号振幅相对于噪声的水平,且硬阈值处理可能引入伪影(例如离子通道数据中的向上尖峰)。计算复杂度以及需要纯净噪声数据进行阈值提取也是其局限性。

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