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直接浸渍法制备的CdO-TiO2纳米管增强光电化学性能

DOI:10.1016/j.apsusc.2019.01.044 期刊:Applied Surface Science 出版年份:2019 更新时间:2025-09-23 15:23:52
摘要: 采用直接浸渍法制备了一系列CdO-TiO2纳米管。通过优化的两步阳极氧化工艺制得自组装TiO2纳米管。利用扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)、紫外-可见漫反射光谱(UV-Vis DRS)、X射线光电子能谱(XPS)、X射线衍射(XRD)和光电化学(PEC)测试对CdO-TiO2纳米管的形貌、结晶度、元素组成及光电化学性能进行了表征。在较低Cd(NO3)2浓度下,TiO2纳米管表面未形成明显CdO晶粒,但EDS和XPS测试显示CdO掺杂量随Cd(NO3)2浓度增加而提高。当Cd(NO3)2前驱体浓度较高(800 mM)时,可清晰观察到TiO2纳米管表面形成颗粒团簇和纳米晶体,样品XRD图谱出现CdTiO3特征衍射峰。同时Ti 2p XPS谱呈现约0.3 eV的明显偏移,这归因于晶格结构变化。掺杂后观察到平带电位(Vfb)负向移动及载流子密度降低。计算得出CdO-TiO2纳米管的最大入射光子-电荷载流子转换效率(IPCE)达10.16%,显著高于纯TiO2纳米管。
作者: Xueqin Wang,Kai Cheng,Shuna Dou,Qihui Chen,Junlei Wang,Zhenyuan Song,Jiaojing Zhang,Hua Song
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研究概述 实验方案 设备清单

采用直接浸渍-煅烧法制备CdO-TiO2纳米管以提高光催化产氢效率,并研究CdO掺杂量的影响。

直接浸渍法成功制备了具有增强光电化学性能的CdO-TiO2纳米管。最佳CdO掺杂浓度为50 mM时,实现了10.16%的最高入射光子-电流转换效率(IPCE),这归因于光吸收和电子积累的改善,尽管空穴积累导致了光电流衰减。Cd2+掺入TiO2晶格改变了其电子特性,但过度掺杂会形成CdTiO3并降低效率。

该研究仅限于特定Cd(NO3)2浓度和退火条件;更高浓度会导致CdTiO3形成并降低性能。该方法可能不具备可扩展性,且光电流衰减表明存在载流子复合与传输问题。

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