1：实验设计与方法选择：

本研究采用射频磁控溅射法沉积非晶IAZO薄膜，该方法因其适合大规模生产而被选用。沉积后进行退火处理以改善薄膜性能。通过使用不同源/漏电极材料（金和钛）制备薄膜晶体管，研究其对器件性能的影响。

2：样品选择与数据来源：

IAZO薄膜分别生长在SiO2（100纳米）/p+硅衬底（用于电学表征）和蓝宝石衬底（用于光学测试）上。靶材成分为In:Al:Zn=2:1:1原子百分比，纯度为4N。

3：实验设备与材料清单：

设备包括射频磁控溅射系统、X射线衍射仪（理学）、原子力显微镜（本原CSPM5500）、电子束蒸发仪（用于电极沉积）、XPS和UPS光谱仪（ESCALAB 250XI）、霍尔测量系统、紫外-可见-近红外分光光度计（TU-1901）以及半导体分析仪（安捷伦B2900）。材料包括In-Al-Zn-O靶材、氩气、金和钛电极材料，以及衬底（SiO2/p+硅和蓝宝石）。

4：0）、电子束蒸发仪（用于电极沉积）、XPS和UPS光谱仪（ESCALAB 250XI）、霍尔测量系统、紫外-可见-近红外分光光度计（TU-1901）以及半导体分析仪（安捷伦B2900）。材料包括In-Al-Zn-O靶材、氩气、金和钛电极材料，以及衬底（SiO2/p+硅和蓝宝石）。 实验流程与操作步骤：

4. 实验流程与操作步骤：IAZO薄膜在室温下以90瓦射频功率和3.68毫托压力使用纯氩气溅射沉积。退火处理在空气中225°C下进行1小时。薄膜晶体管制备过程为：先沉积30纳米IAZO沟道层并退火，再通过掩模电子束蒸发沉积50纳米金或钛电极。表征手段包括XRD、AFM、XPS、UPS、霍尔测量、光学透过率测试及TFT电学性能测试。

5：68毫托压力使用纯氩气溅射沉积。退火处理在空气中225°C下进行1小时。薄膜晶体管制备过程为：

5. 数据分析方法：采用标准技术分析数据：XRD分析结晶性，AFM测量表面粗糙度，XPS和UPS测定成分与能级，霍尔测量获取电学特性，紫外-可见光谱分析光学特性，半导体分析仪获取TFT性能参数（迁移率、开关比和亚阈值摆幅）。