研究目的
开发一种与CMOS集成电路兼容的新型固态整流器,用于室温下直接转换太赫兹辐射,重点构建适用于成像和光谱应用的整流天线结构。
研究成果
所提出的固态整流器与MOS-FET晶体管集成构成整流天线,通过等离子体波的自混频效应在室温下高效将太赫兹辐射转换为直流电流。TCAD仿真证实了整流电势的产生,该结构与CMOS技术兼容,为成像系统带来成本和集成的优势。未来工作应聚焦于实验验证及实际应用的优化。
研究不足
该研究依赖模拟而非实验验证;潜在局限性包括边界条件的简化及模型假设(如边缘突变的耗尽近似和小信号近似)。整流器性能可能受CMOS技术实际制造工艺的限制。
1:实验设计与方法选择:
本研究涉及设计一种结合天线与整流器件的整流天线结构,通过理论建模和TCAD仿真分析MOS-FET晶体管中的自混频效应与等离子体波。
2:样本选择与数据来源:
仿真基于具有特定掺杂浓度(如基底掺杂10^18 cm^-3受主)的标准MOS结构,并施加射频电压(如100微伏)。
3:实验设备与材料清单:
使用Synopsys Sentaurus TCAD软件进行数值仿真,CMOS技术组件包括金属层、氧化物和半导体基底。
4:实验流程与操作步骤:
采用流体动力学模型对前5次谐波进行谐波平衡仿真,研究直流静电势产生与整流效应。
5:数据分析方法:
重点分析自混频电势的空间分布、栅极电压与频率的依赖性,并与理论模型进行对比。
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