1：实验设计与方法选择：

该研究采用0.18微米CMOS技术设计了一个带校准电路的GMP发生器。校准电路利用MOS电容阵列调节延迟时间和幅度，以补偿MOSFET参数差异。通过仿真方法进行验证。

2：18微米CMOS技术设计了一个带校准电路的GMP发生器。校准电路利用MOS电容阵列调节延迟时间和幅度，以补偿MOSFET参数差异。通过仿真方法进行验证。 样本选择与数据来源：

2. 样本选择与数据来源：使用MOSFET工艺角模型（如NT-PT、NS-PF）模拟制造工艺变异。未提及实体样本，数据均来自电路仿真。

3：实验设备与材料清单：

主要材料为0.18微米CMOS技术。设备包括仿真工具（未注明品牌型号），以及特定尺寸（如W/L=800/400纳米）的MOS电容阵列等元件。

4：18微米CMOS技术。设备包括仿真工具（未注明品牌型号），以及特定尺寸（如W/L=800/400纳米）的MOS电容阵列等元件。 实验流程与操作步骤：

4. 实验流程与操作步骤：设计的GMP发生器电路包含逻辑门（非门、与门、或门）用于生成上升沿脉冲和下降沿脉冲，组合形成GMP信号。校准过程通过调节控制信号（cont1-cont4）经MOS电容阵列改变延迟时间和幅度。采用瞬态仿真和快速傅里叶变换(FFT)分析不同MOSFET模型下的波形稳定性和频率特性。

5：数据分析方法：

通过瞬态仿真观察波形变化，FFT评估频谱特性，ADC仿真测试不同比特分辨率（如6位、7位、8位ADC）下的峰值检测分辨率。