研究目的
研究主体材料及Cs掺杂KMgCl3的电子结构与光学性质以预测杂质诱导的交叉发光。
研究成果
掺杂铯的KMgCl3预计将成为比母体化合物更优异的交叉发光材料，因为铯掺杂会在价带下方引入额外能态，减小能量差并满足交叉发光的条件。该母体化合物在低能区具有光学各向同性。
研究不足
该研究为理论计算性质，缺乏实验验证。由于计算资源限制，掺杂浓度最高仅为25%。目前无可用于光学性质对比的实验数据。
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KMgCl3中杂质诱导的交叉发光：一项从头算研究
DOI：10.1088/1361-648X/aafd0a
期刊：Journal of Physics: Condensed Matter
出版年份：2019
更新时间：2025-09-23 15:23:52
摘要：
采用密度泛函理论计算了主体材料及Cs掺杂KMgCl3的电子结构和光学性质。为准确预测带隙和光谱特性，所有计算均使用Tran和Blaha修正的Becke-Johnson势（TB-mBJ）方法。研究发现该化合物为绝缘体，采用广义梯度近似（GGA）和TB-mBJ泛函分别得到其直接带隙为4.7 eV和6.9 eV。虽然晶体结构具有各向异性，但计算折射率显示该化合物在低能区呈现光学各向同性。理论计算表明，由于Cs掺杂在价带下方引入额外能级，使该材料比主体化合物具有更优异的交叉发光性能。详细讨论见正文。
作者：
G. Shwetha，V. Kanchana
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