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精确的石墨烯-金属结表征

DOI:10.1109/JEDS.2019.2891516 期刊:IEEE Journal of the Electron Devices Society 出版年份:2019 更新时间:2025-09-23 15:22:29
摘要: 提出了一种基于接触端电阻测量的可靠方法,用于测定石墨烯-金属接触的特定接触电阻率(ρC)。通过模拟研究验证了该方法,证实金属接触下方的方块电阻(RSK)具有重要影响——因其会改变石墨烯-金属结处的势垒高度。研究两种兼容互补金属氧化物半导体的铝基接触以阐明金属接触下方方块电阻的重要性:RSK差异源于绝缘性氧化铝(Al2O3)和碳化铝(Al4C3)界面层的形成,这取决于石墨烯预处理工艺及加工条件。俄歇电子能谱与X射线光电子能谱(XPS)为电学数据提供了佐证。该方法仅需单组接触对即可直接测量接触参数,适用于小型测试结构。当接触下方材料方块电阻较大时,其可靠性优于传统传输线法(TLM)。该方案特别适合几何尺寸微小的接触结构,能有效降低测量误差,尤其适用于新兴器件与材料的研究。
作者: Matthias K?nig,Günther Ruhl,Amit Gahoi,Sebastian Wittmann,Tobias Preis,Joerg-Martin Batke,Ioan Costina,Max C. Lemme
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研究概述 实验方案 设备清单

提出并验证一种可靠的石墨烯-金属接触比接触电阻率(ρC)测量方法,以解决这些结点表征中的挑战,特别是针对小尺寸接触和界面电阻变化的情况。

所提出的接触端电阻法能有效测量石墨烯-金属接触的特定接触电阻率,由于界面氧化物和碳化物的形成,"湿法"与"干法"样品显示出显著差异。该方法比传输线模型(TLM)对小尺寸接触更可靠,且能通过单一对接触点实现全面表征,适用于二维材料研究。

该方法假设金属电阻可忽略不计,但这一前提可能不适用于所有材料。样品制备过程中的差异(如吸附的化学物质)可能会影响结果。使用较厚的石墨薄片进行AES和XPS分析可能无法完全体现单层石墨烯的特性。

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