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中压电机驱动中碳化硅功率电子器件的区域制造成本结构与供应链考量

DOI：10.4028/www.scientific.net/msf.924.518 期刊：Materials Science Forum 出版年份：2018 更新时间：2025-09-23 15:22:29
摘要： 随着宽带隙（WBG）半导体（特别是碳化硅SiC）技术的发展成熟，现已有必要深入理解其制造成本驱动因素、区域制造成本差异及工厂选址决策。此外，持续的研究与投资亟需分析性研究来指导宽带隙技术的发展方向。本文探讨了大规模量产预期下的器件、?？榧暗缁杀?，同时梳理了当前供应链的区域贡献者，并提出如何利用基础模型评估拟议研究进展的降本潜力。
作者： Samantha Reese，Kelsey Horowitz，Timothy Remo，Margaret Mann
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研究概述 实验方案 设备清单

研究目的

为宽禁带半导体在中压电机驱动领域的制造成本驱动因素、区域成本及工厂选址决策提供客观的供应链分析，以辅助碳化硅技术的研究与投资决策。

研究成果

该研究为碳化硅技术提供了基础成本模型，重点分析了区域制造成本结构和供应链考量。研究强调需要采用类似光伏产业的分析方法来指导宽禁带半导体领域的研发与投资，并指出这些模型能够量化未来技术进步的降本潜力。

研究不足

这些模型基于访谈的汇总数据，由于依赖专有或商业敏感信息，可能并非完全准确。数据获取有限，尤其是针对功率?？楹捅淦登鳎╒FD）的数据，且分析反映的是2015-2016年的行业状况，可能未涵盖最新发展动态。

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