研究目的
通过调节沉积温度来调控晶态GeSb2Te4（GST）的无序度，并表征由此产生的结构和电学特性，以探究无序对晶体GST输运性质的影响。
研究成果
研究表明，通过沉积温度控制的晶体GST中的无序状态，本质上通过无序空位引起的晶粒内散射来控制金属-绝缘体转变，而晶界的作用可以忽略不计。这使得电学性能可以在数量级上进行调节，凸显了GST在节能设备应用中的潜力。
研究不足
该研究仅限于云母衬底上的GST薄膜，可能无法完全代表块体材料的行为。由于衬底和接触限制，温度测量被约束在2K以上。谢乐方程提供了晶粒尺寸的下限估计值，可能低估实际数值。分析假设为三维传输，这可能不适用于所有样品。
1：实验设计与方法选择：
采用溅射沉积工艺在不同沉积温度下于云母衬底上生长双轴织构化的GST薄膜以调控无序度，通过X射线衍射（XRD）、电子背散射衍射（EBSD）和输运测量表征其结构与电学特性。
2：样品选择与数据来源：
在新鲜解理的白云母衬底上沉积约10纳米厚的GeSb2Te4薄膜，样品制备仅通过改变沉积过程中的衬底温度实现。
3：实验设备与材料清单：
直流磁控溅射系统、云母衬底、X射线衍射仪、EBSD系统、原子力显微镜（AFM）、带保护盖和金触点的霍尔条结构、铟接触点、用于输运特性测量的脉冲直流及交流锁相测量装置。
4：实验流程与操作步骤：
使用优化溅射参数进行薄膜沉积，结构表征包含XRD测试（面内扫描、摇摆曲线、φ扫描）、EBSD分析和AFM观测，电学输运测量涵盖1.8K至室温范围内的电阻率-温度特性、磁阻效应及霍尔效应测试。
5：8K至室温范围内的电阻率-温度特性、磁阻效应及霍尔效应测试。 数据分析方法：
5. 数据分析方法：采用Scherrer公式计算晶粒尺寸，通过σ(T)=σ0+βT^ν公式拟合电导率区分金属-绝缘体转变，利用HLN理论拟合磁阻数据获取非弹性散射长度，对绝缘样品采用跳跃传导模型（Mott变程跳跃与Efros-Shklovskii模型）进行分析。
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DC magnetron sputtering system
Used for depositing GeSb2Te4 films on mica substrates.
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X-ray diffractometer
Used for structural characterization via T2T scans, rocking curves, and φ-scans.
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Electron backscatter diffraction system
EBSD
Used to characterize grain structure and orientation.
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Atomic force microscope
AFM
Used to confirm film smoothness.
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Lock-in amplifier
Used for AC transport measurements.
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