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氮化钛在氯基等离子体中的刻蚀特性

DOI：10.1166/jnn.2016.13693 期刊：Journal of Nanoscience and Nanotechnology 出版年份：2016 更新时间：2025-09-23 15:22:29
摘要： 在本研究中，我们采用电感耦合Cl2/Ar等离子体系统，探究了TiN薄膜的刻蚀特性及其相对于光刻胶的选择比。当气体混合比为4:16 sccm（Cl2/Ar）时，TiN薄膜获得最大刻蚀速率27 nm/min。X射线光电子能谱分析显示，离子轰击能有效破坏氧化键，并在刻蚀表面形成不易挥发的反应产物堆积。场发射俄歇电子能谱则用于评估离子激发反应产物脱附的效率。
作者： Yi-Yu Wang，Young-Hee Joo，Chang-Il Kim
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研究概述 实验方案 设备清单

研究目的

研究TiN薄膜的刻蚀特性及氯基等离子体中TiN对光刻胶的选择性，应用于MIM电容器。

研究成果

TiN薄膜在Cl2/Ar等离子体中的刻蚀速率在特定气体比例（4:16 sccm Cl2/Ar）时达到峰值，最大值为27 nm/min，这归因于Cl自由基的化学刻蚀作用受到离子轰击的增强。XPS分析证实氧化物键被有效破坏且反应产物不断累积，支持离子增强化学刻蚀机制。这为优化MIM电容器制造中的刻蚀工艺提供了见解。

研究不足

该研究仅限于Cl2/Ar等离子体及特定ICP条件，未探索其他气体混合物或等离子体参数。对TiN的关注可能无法推广至其他材料，且实验装置在可扩展性或实际器件集成方面可能存在局限。

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