1：实验设计与方法选择：

研究采用分子束外延（MBE）技术在超高真空条件下生长β-MoO3纳米带。通过使用不同基底（Si(100)、Si(5512)、FTO）和厚度（5-30 nm）来探究形貌、光学带隙、局域功函数及场发射特性。技术手段包括扫描电子显微镜（SEM）、透射电子显微镜（TEM）、掠入射X射线衍射（GIXRD）、紫外-可见-近红外光谱（UV-Vis-NIR）、开尔文探针力显微镜（KPFM）及场发射测试。

2：0)、Si(5512)、FTO）和厚度（5-30 nm）来探究形貌、光学带隙、局域功函数及场发射特性。技术手段包括扫描电子显微镜（SEM）、透射电子显微镜（TEM）、掠入射X射线衍射（GIXRD）、紫外-可见-近红外光谱（UV-Vis-NIR）、开尔文探针力显微镜（KPFM）及场发射测试。 样品选择与数据来源：

2. 样品选择与数据来源：基底为含/不含自然氧化层的Si(100)、Si(5512)和FTO。以纯度99.995%的MoO3粉末作为源材料。样品制备条件为：衬底温度350°C，沉积速率约1 ?/分钟。

3：0)、Si(5512)和FTO。以纯度995%的MoO3粉末作为源材料。样品制备条件为：

3. 实验设备与材料清单：设备包含Omicron MBE系统、场发射扫描电镜（Carl Zeiss, Neon 40）、透射电镜（JEOL JEM-2010）、配备Cu Kα光源的掠入射XRD、紫外-可见-近红外分光光度计（岛津UV-3101PC）、原子力显微镜/开尔文探针（MFP-3D, Asylum Research美国）及场发射系统（Excel仪器FE System-150）。材料包括MoO3粉末、硅基底、FTO基底及KPFM用导电探针。

4：实验设备与材料清单：

4. 实验流程与操作步骤：基底经清洁或保留自然氧化层处理。通过MBE沉积MoO3。采用SEM和TEM分析形貌，GIXRD评估结构特性，UV-Vis-NIR光谱测量光学性质，KPFM测定局域功函数，在二极管构型中通过改变阳极-样品间距评估场发射性能。

5：0）、透射电镜（JEOL JEM-2010）、配备Cu Kα光源的掠入射XRD、紫外-可见-近红外分光光度计（岛津UV-3101PC）、原子力显微镜/开尔文探针（MFP-3D, Asylum Research美国）及场发射系统（Excel仪器FE System-150）。材料包括MoO3粉末、硅基底、FTO基底及KPFM用导电探针。 实验流程与操作步骤：

5. 数据分析方法：尺寸测量采用对数正态分布拟合，带隙计算使用Tauc图，场发射分析应用FN方程，功函数测定基于KPFM方程。