1：实验设计与方法选择：

本研究设计了在激基复合物形成平面结构中插入非掺杂磷光染料层的OLED器件。通过优化磷光层厚度（0.1、0.5和1纳米）以实现高效能，并制备了含/不含激基复合物界面的器件进行对比。

2：5和1纳米）以实现高效能，并制备了含/不含激基复合物界面的器件进行对比。 样品选择与数据来源：

2. 样品选择与数据来源：采用氧化铟锡（ITO）镀膜玻璃作为阳极，有机功能层与金属阴极通过热蒸发法制备。制备了两组特定层结构的器件系列（无激基复合物的A系列与含激基复合物的B系列）。

3：实验设备与材料清单：

设备包括超声波清洗机、热蒸发系统、用于厚度监测的石英晶体振荡器、紫外-可见分光光度计（岛津UV-1700）、光致发光光谱仪（珀金埃尔默LS55）、电致发光光谱仪（OPT-2000）、荧光寿命测量系统（HORIBA Scientific单光子计数控制器FluoroHub-B配NanoLED-370与TBX光电探测器）及J-V-L测试系统（吉时利4200源表与ST-86LA亮度计）。材料包含ITO、MoO3、NPB、TCTA、TPBi、Bphen、Mg:Ag及(tbt)2Ir(acac)。

4：0）、光致发光光谱仪（珀金埃尔默LS55）、电致发光光谱仪（OPT-2000）、荧光寿命测量系统（HORIBA Scientific单光子计数控制器FluoroHub-B配NanoLED-370与TBX光电探测器）及J-V-L测试系统（吉时利4200源表与ST-86LA亮度计）。材料包含ITO、MoONPB、TCTA、TPBi、Bphen、Mg:

4. 实验流程与操作步骤：基底经清洗及氧等离子体处理后，在真空条件下通过热蒸发沉积有机层与阴极。A系列器件结构为ITO/MoO3(5纳米)/NPB(50或40纳米)/(tbt)2Ir(acac)(X纳米)/TPBi(10纳米)/Bphen(40纳米)/Mg:Ag(100纳米)，B系列为ITO/MoO3(5纳米)/NPB(40纳米)/TCTA(10纳米)/(tbt)2Ir(acac)(X纳米)/TPBi(10纳米)/Bphen(40纳米)/Mg:Ag(100纳米)。光学与电学特性均在室温下测试。

5：实验流程与操作步骤：

5. 数据分析方法：通过紫外-可见与荧光光谱分析材料特性，测量J-V-L特性评估电学性能，利用荧光寿命衰减研究能量传递机制，采用标准公式计算效率参数（PE、CE、EQE）。