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(110)单晶金刚石与Si(100)基底上沉积的纳米晶金刚石薄膜生长动力学及摩擦学性能对比研究

DOI:10.1016/j.diamond.2018.12.024 期刊:Diamond and Related Materials 出版年份:2019 更新时间:2025-09-23 15:22:29
摘要: 在甲烷/氢气/氮气等离子体环境中,采用微波等离子体增强化学气相沉积法(MPCVD)于高温高压(HPHT)(110)晶向单晶(SC)金刚石衬底上生长了纳米晶金刚石(NCD)薄膜。薄膜厚度介于2.2至22.5微米之间。通过原子力显微镜(AFM)和扫描电子显微镜(SEM)观察到菜花状表面形貌。研究了NCD薄膜生长的标度行为,发现较高的粗糙度指数αs=1.5-1.6表明存在异常标度现象,因此遮蔽效应和扩散不稳定性可能影响薄膜生长。对比了SC(110)金刚石衬底与Si(100)衬底上制备的NCD薄膜的摩擦学性能,在相同赫兹接触压力下测试发现,NCD/SC(110)试样的磨损体积损失更低,由此推测Si(100)衬底及其界面特性对NCD薄膜摩擦学行为的影响可能导致薄膜偏转。
作者: V. Podgursky,O. Volobujeva,A. Mere,T. Raadik,V. Ralchenko,A. Bogatov,M. Yashin,M. Viljus,A.P. Bolshakov,V. Sedov
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比较沉积在(110)单晶金刚石和Si(100)基底上的纳米晶金刚石膜的生长动力学和摩擦学性能,并理解基底对这些性能的影响。

在SC(110)金刚石和Si(100)衬底上生长的NCD薄膜具有相似的化学成分和晶体结构,但生长动力学和摩擦学性能存在差异。SC(110)衬底上的生长过程不稳定且呈现异常标度行为,受遮蔽效应和扩散不稳定性影响。摩擦学方面,两者表现出相近的摩擦系数(约0.14),但NCD/SC(110)的磨损体积更低,表明衬底和界面特性会影响材料行为,而NCD/Si(100)体系中可能存在偏转现象。

观察到不稳定的生长速率,变化范围在0.07至0.18微米/分钟之间。由于数据离散性,难以估算生长指数β。异常的标度关系(高粗糙度指数αs=1.5-1.6)表明存在阴影效应和扩散不稳定性等非局域效应,这可能限制对薄膜性能的控制。摩擦学测试是在特定湿度(约35%)的空气中进行的,可能无法代表所有环境条件。本研究针对特定基底材料,可能不适用于其他材料体系。

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