研究目的
提出并模拟一种极化工程增强型电流孔径垂直电子晶体管（P-CAVET），该器件无需p型掺杂即可实现增强型工作模式与高击穿电压。
研究成果
提出的P-CAVET结构通过极化工程和混合电流阻挡层（无需p型掺杂），成功实现了增强模式工作，阈值电压为3.1V，击穿电压较传统CAVET（400V）提升100%（达800V），具备高压功率应用潜力。
研究不足
该研究基于模拟而非实验制造，可能未考虑实际生产中的挑战或变量。其性能取决于精确的层厚度和材料特性，实际应用中可能需要进一步优化。
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[IEEE 2017年第九届海湾合作委员会会议与展览（GCCCE）- 巴林麦纳麦（2017.5.8-2017.5.11）] 2017年第九届IEEE-GCC会议与展览（GCCCE）- 极化工程增强型高击穿电压氮化镓CAVET
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[IEEE 2017年第九届海湾合作委员会会议与展览（GCCCE）- 巴林麦纳麦（2017.5.8-2017.5.11）] 2017年第九届IEEE-GCC会议与展览（GCCCE）- 极化工程增强型高击穿电压氮化镓CAVET
DOI：10.1109/IEEEGCC.2017.8447991
出版年份：2017
更新时间：2025-09-23 15:22:29
摘要：
本工作提出并模拟了一种极化工程增强型电流孔径垂直电子晶体管（P-CAVET）。该结构的新颖性在于利用极化工程实现增强型工作模式。所提出的P-CAVET的电流阻挡层（CBL）具有混合特性，由氧化物部分和氮化铝（AlN）部分组成。CBL中的AlN部分用于将AlGaN/GaN界面处存在的三角势阱提升至费米能级以上，从而实现增强型工作模式。该CBL能更好地抑制垂直漏电，提高击穿电压。该结构既无需p型掺杂来实现增强型工作模式，也无需p型掺杂来形成电流阻挡层。二维校准模拟研究表明，该器件阈值电压为3.1V，相比传统CAVET器件击穿电压提升了100%。
作者：
Sajad A. Loan，Sumit Verma，Abdullah G. Alharbi，Asim Murshid
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