研究目的
研究半导体器件（如LED和OLED）的光学特性，并利用外差干涉测量法开发高精度缺陷检测方法。
研究成果
外差干涉测量工具成功以高精度检测出半导体器件中的缺陷，为质量控制提供了一种无损检测方法。未来的工作应着眼于扩展频率范围并提高对更深缺陷的检测极限。
研究不足
该技术仅适用于大于1纳米的缺陷，且可能无法检测到非常深的次表面缺陷。需要优化以实现更高频率的操作和更广泛的材料兼容性。
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[2018年IEEE国际超声研讨会(IUS) - 日本神户 (2018.10.22-2018.10.25)] 2018年IEEE国际超声研讨会(IUS) - 用于BAW/SAW器件的高频光学探头
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[2018年IEEE国际超声研讨会(IUS) - 日本神户 (2018.10.22-2018.10.25)] 2018年IEEE国际超声研讨会(IUS) - 用于BAW/SAW器件的高频光学探头
DOI：10.1109/ULTSYM.2018.8580056
出版年份：2018
更新时间：2025-09-23 15:22:29
摘要：
用于LED和OLED器件的半导体光学特性。我们提出一种基于外差干涉测量的新型光学检测工具，能高精度识别半导体材料表面及亚表面缺陷。该工具工作频率可达25GHz，检测极限低于1纳米。此方法特别适用于光电子行业质量控制，可对LED和OLED等器件进行无损检测。结果表明，该工具能有效识别常规光学显微镜无法检测的缺陷。
作者：
Hugo Chapman，Matthew Dawson，Maximilian Schieber，Rascal Nicolay，Alain Cumex，Thomas Metzger，Thomas Colgate，Aaron Alin Ayan，Ayech Benjemaa
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