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[IEEE 2018年中国国际合成孔径雷达研讨会(CISS)- 上海(2018.10.10-2018.10.12)] 2018年中国国际合成孔径雷达研讨会(CISS)- C波段高集成度高效率星载T/R组件发展

DOI:10.1109/SARS.2018.8551974 出版年份:2018 更新时间:2025-09-23 15:22:29
摘要: 作为相控阵天线的核心部件,面向卫星合成孔径雷达应用的高可靠性T/R??檠蟹⒊晌芯恐氐?。卫星SAR应用要求T/R??榫弑父咝?、低损耗、轻量化、高幅度相位稳定性及高可靠性等特性。本文介绍了一种基于氮化镓(GaN)大功率单片微波集成电路(MMIC)和砷化镓(GaAs)高集成多功能MMIC的多芯片??椋∕CM)封装技术C波段双通道T/R???,实现了微波信号放大、T/R控制、数字幅度相位控制及高压调制的集成。相比GaAs工艺,基于GaN MMIC的功率放大器具有更高输出功率与功率附加效率,显著降低了SAR系统的总热耗。该T/R??橥ǖ捞峁┏?1.5dBm输出功率、29dB接收增益和2.8dB噪声系数,功率附加效率超37%,重量仅35克,尺寸为64mm×39.6mm×7mm,兼具高效低损、小型轻量、高可靠特性。
作者: Ou Lei,Kai Chen,Xinpei Zhang,Bin Sun,Zhenbin Tu
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研究概述 实验方案 设备清单

利用氮化镓(GaN)和砷化镓(GaAs)单片微波集成电路(MMIC)及多芯片??椋∕CM)封装技术,研制一款面向卫星合成孔径雷达(SAR)应用的高可靠性、高效率、低损耗、低质量且小型化的T/R组件。

研发的C波段双通道T/R??槭迪至烁呒啥扔敫咝?,输出功率超过41.5 dBm,功率附加效率>37%,接收增益29 dB,噪声系数<3.0 dB,同时具备小型化(64mm×39.6mm×7mm)和轻量化(35g)特性。该??槁阈窃豐AR应用需求,展现了氮化镓(GaN)与砷化镓(GaAs)单片微波集成电路(MMIC)集成及多芯片???MCM)封装技术的进步。

该研究仅限于C波段频率和特定MMIC技术;扩展至其他频段或技术可能需要进一步优化。热设计与机械设计专为星载应用定制,可能无法直接适用于其他环境。

SCI高频之选
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