研究目的
利用氮化镓(GaN)和砷化镓(GaAs)单片微波集成电路(MMIC)及多芯片??椋∕CM)封装技术,研制一款面向卫星合成孔径雷达(SAR)应用的高可靠性、高效率、低损耗、低质量且小型化的T/R组件。
研究成果
研发的C波段双通道T/R??槭迪至烁呒啥扔敫咝?,输出功率超过41.5 dBm,功率附加效率>37%,接收增益29 dB,噪声系数<3.0 dB,同时具备小型化(64mm×39.6mm×7mm)和轻量化(35g)特性。该??槁阈窃豐AR应用需求,展现了氮化镓(GaN)与砷化镓(GaAs)单片微波集成电路(MMIC)集成及多芯片???MCM)封装技术的进步。
研究不足
该研究仅限于C波段频率和特定MMIC技术;扩展至其他频段或技术可能需要进一步优化。热设计与机械设计专为星载应用定制,可能无法直接适用于其他环境。
1:实验设计与方法选择:
采用GaN高功率放大器单片微波集成电路(MMIC)和GaAs多功能MMIC的双通道架构设计T/R??椋ü嘈酒?椋∕CM)封装集成。设计重点为实现高功率输出、效率及小型化。
2:样本选择与数据来源:
??樽榧囟∕MIC(如GaN高功率放大器、GaAs低噪声放大器、多功能核心芯片),参数源自仿真与实测数据。
3:实验设备与材料清单:
设备包括用于功率、增益、噪声系数及效率的射频测量工具;材料包含Rogers4350B印制电路板、滤波器用Al3O2基板及散热用Cu/Mo/Cu合金。
4:实验流程与操作步骤:
采用MCM技术组装模块,在脉冲条件(如占空比20%、脉宽1ms)下对发射与接收链路进行测量,评估输出功率、功率附加效率(PAE)、增益及噪声系数。
5:0%、脉宽1ms)下对发射与接收链路进行测量,评估输出功率、功率附加效率(PAE)、增益及噪声系数。 数据分析方法:
5. 数据分析方法:采用标准射频测量技术分析数据,并绘制结果图表验证性能。
独家科研数据包,助您复现前沿成果,加速创新突破
获取完整内容-
PCB
Rogers4350B
Rogers
Substrate for RF transmission and control circuits
-
GaN HPA MMIC
High power amplification in the transmit chain
-
GaAs Multifunctional Core Chip
Integration of phase shifter, attenuator, switches, and amplifiers for T/R control
-
GaAs LNA
Low noise amplification in the receive chain
-
Limiter
Protection of LNA from high power signals
-
Low-Pass Filter
Filtering spurious signals in the receive chain
-
Circulator
Isolation between Tx and Rx paths
-
Power Divider
Splitting/combining RF signals for dual channels
-
PMOS Driver
Modulation and biasing for GaN HPA and other components
-
PMOSFET
Switching for pulse modulation of GaN HPA
-
登录查看剩余8件设备及参数对照表
查看全部