研究目的
研究范德华异质结构中应变气泡作为波长可调的局域光致发光发射源的应用,重点关注应变工程和激子漏斗效应。
研究成果
范德瓦尔斯异质结构中的应变气泡提供了一种可靠的方法,通过激子漏斗效应实现局部、可调且强度增强的光致发光。光致发光能量偏移与应变相关,而基底选择可调控发射特性。该方法为光电子应用中人工原子的创建提供了途径。
研究不足
该研究仅限于特定的单层过渡金属二硫化物(TMDCs)和衬底;气泡尺寸因衬底而异,从而影响光致发光(PL)测量结果。激子漂移长度可能短于气泡半径,从而降低漏斗效应效率。淬灭机制较为复杂,且并非对所有衬底都已完全阐明。
1:实验设计与方法选择:
该研究通过在原子级平整基底上沉积单层过渡金属二硫化物(TMDCs),在范德华异质结构中形成碳氢化合物填充气泡。利用原子力显微镜(AFM)和光致发光光谱分析应变分布及PL特性。
2:样本选择与数据来源:
将单层MoS2薄片沉积于hBN、石墨烯、石墨、PtSe2、WS2及块体MoS2等多种基底上。样本采用湿法转移技术制备并退火形成气泡。
3:WS2及块体MoS2等多种基底上。样本采用湿法转移技术制备并退火形成气泡。
实验设备与材料清单:
3. 实验设备与材料清单:设备包括用于PL测量的Horiba拉曼系统XploRATM PLUS、用于形貌分析的AFM,材料包含用于转移的聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)。
4:实验流程与操作步骤:
制备异质结构后进行退火与表征,在室温下以特定激光能量和光斑尺寸测量PL光谱,AFM用于绘制气泡分布与几何形态图谱。
5:数据分析方法:
通过LabSpec6软件中的高斯-洛伦兹拟合确定PL峰位,将应变与PL偏移及强度相关联,并采用菲涅尔理论分析光学干涉效应。
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