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[IEEE 2018国际柔性电子技术会议(IFETC) - 渥太华, 安大略省 (2018.8.7-2018.8.9)] 2018国际柔性电子技术会议(IFETC) - 3D打印离子选择性场效应晶体管

DOI：10.1109/IFETC.2018.8583990 出版年份：2018 更新时间：2025-09-23 17:44:06
摘要： 本报告描述了3D打印离子选择性场效应晶体管（IS-FET），其包含用于选择性离子检测的电化学工作电极。为对比性能，通过3D打印和真空沉积两种方式制备了不同类型的场效应晶体管，并均与3D打印的离子选择性电极集成。随后研究了这两种IS-FET的传感性能。整体3D打印IS-FET的源漏电流量级为10^-8安培，与沉积法制备的IS-FET（电流量级为10^-6安培）形成对比。
作者： Chao Bao，Manpreet Kaur，Youngjin Kwack，Woon-Seop Choi，Yeongjun Lee，Tae-Woo Lee，Woo Soo Kim
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研究概述 实验方案 设备清单

研究目的

设计、制造并表征用于选择性离子检测的3D打印离子选择场效应晶体管（IS-FET），并将其性能与真空沉积IS-FET进行比较。

研究成果

成功设计并表征了一种3D打印的IS-FET，其性能趋势与沉积型IS-FET相似但电流水平更低。离子选择性电极的集成不会改变FET性能，从而具备潜在的离子浓度检测能力。未来工作应聚焦于提升3D打印材料的导电性。

研究不足

与沉积型场效应晶体管（10^-6安培）相比，3D打印场效应晶体管因打印银浆电极接触电阻较高而表现出更低的漏电流（10^-8安培量级）。需优化具有更高导电性的可打印银浆以实现更优性能。

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